缺點(diǎn)是由于測(cè)量時(shí)通過(guò)開(kāi)關(guān)的電流很小，破壞不了接觸表面的氧化膜，因而造成較大的識(shí)誤差(偏大)，因此在高壓開(kāi)關(guān)的回路電阻測(cè)量中不推薦這種方法。

　　用壓降法（伏安法）間接測(cè)量：

　　壓降法就是開(kāi)關(guān)插座通以值的直流電流，用毫伏表測(cè)量開(kāi)關(guān)插座進(jìn)出線端之間的壓降（mV），然后用歐姆定律計(jì)算得出開(kāi)關(guān)插座的主回路電阻。

　　用變壓器和硅整流器的測(cè)量線路。同時(shí)用壓降法測(cè)量主回路電阻時(shí)由于通過(guò)試品的電流較大，足以破壞接觸表面的金屬氧化膜，減少了測(cè)量誤差，測(cè)得的值比較準(zhǔn)確，因此開(kāi)關(guān)插座的主回路測(cè)量推薦采用壓降法。